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摘要:
以导电玻璃(ITO)为基底,采用电沉积法制备纳米硒.在单一变量的基础上结合正交试验和响应面试验,探讨了制备条件对纳米硒光电压的影响.结果表明:在沉积电压1.7V、沉积温度30℃、沉积时间7 min、硫脲用量为1mmol时,纳米硒的光电压值最高,达0.868 4 V;由紫外-可见吸收光谱测得其禁带宽度Eg=1.84 eV;SEM分析发现,纳米硒呈棒状及莲花状结构,棒直径约为100 nm,长度为3~6 μm;XRD表征结果显示,纳米硒主要为3种晶系的混晶系纳米晶体,在2θ为37.188°、45.246°、60.324°处分别出现斜方晶系纳米硒的(120)、(200)和(211)晶面,在2θ为30.141°、50.701°处分别出现六方晶系纳米硒的〈101〉、{11-1}晶面,在2θ为35.522°处出现单斜晶系纳米硒的[120]晶面,其中以〈101〉晶面和[120]晶面为择优生长取向.
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文献信息
篇名 纳米硒的制备及其光电性能
来源期刊 桂林理工大学学报 学科 工学
关键词 纳米硒 光电压 电沉积
年,卷(期) 2016,(3) 所属期刊栏目 材料科学与应用化学
研究方向 页码范围 583-591
页数 9页 分类号 TQ125.2
字数 4344字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-9057.2016.03.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 莫德清 桂林电子科技大学生命与环境科学学院 62 382 10.0 17.0
2 朱义年 桂林理工大学环境科学与工程学院 46 236 9.0 13.0
3 钟福新 桂林理工大学化学与生物学院 24 63 4.0 7.0
4 黎燕 桂林理工大学化学与生物学院 16 40 3.0 5.0
5 王伟 桂林理工大学化学与生物学院 13 31 3.0 5.0
6 王苏宁 桂林理工大学化学与生物学院 4 6 2.0 2.0
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1674-9057
45-1375/N
16开
广西桂林市建干路12号
48-7
1981
chi
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