PSP-SOI模型在RF SOI技术中的应用

• 作者: 张昊 范象泉
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: PSP-SOI 部分耗尽 浮体效应 大信号 谐波验证
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: TN403
• 字数: 2494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2016.12.010

摘要

SOI工艺因其独特的器件特性而被物联网时代所追捧.相对精准的器件模型显得愈加重要.这是在SOI器件特性和模型理论的基础上,采用PSP-SOI(PD)模型提取了一套完整的射频模型,并对模型进行了直流、交流、高频小信号以及大信号非线性等方面的一系列的验证,基本满足各项指标要求.证明了该模型在RF SOI领域的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张昊		1	0	0.0	0.0
2	范象泉		1	0	0.0	0.0