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摘要:
近年来,石墨烯因其独特的物理化学性质备受关注,但石墨烯的零带隙结构,限制了它在光电领域方面的应用。研究了石墨烯场效应管制备的关键工艺,即用石墨烯图形化打开其带隙,并在1 cm×1 cm的石墨烯薄膜上制备出大规模、多尺寸的微结构石墨烯场效应管。通过对石墨烯场效应管关键工艺的优化研究,如石墨烯的无损转移、石墨烯条带的刻蚀、光刻胶的选择、金属蒸镀以及退火等工艺,为石墨烯场效应管的进一步研究提供了可靠的工艺参考。
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文献信息
篇名 石墨烯场效应管制备的关键工艺研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 石墨烯 图形化 带隙 场效应管 关键工艺 优化研究
年,卷(期) 2016,(5) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 60-63
页数 4页 分类号 TN305.99
字数 2685字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.05.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒲利春 重庆理工大学光电信息学院 21 29 4.0 4.0
2 冉秦翠 重庆理工大学光电信息学院 5 9 2.0 3.0
3 卢斌 河南理工大学电气工程与自动化学院 2 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
石墨烯
图形化
带隙
场效应管
关键工艺
优化研究
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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31758
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