基于绝热演化通道的任意比特对称 Dicke 态的制备

• 作者: 张小龙 李晓莉 李满仓
• 来源期刊: 吉首大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子绝热通道 对称Dicke态 暗态 离子阱
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 【物理?电子】
• 页码范围: 14-18
• 页数: 5页
• 分类号: O431
• 字数: 2569字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.cnki.jdxb.2016.04.004

摘要

根据绝热通道技术及暗态的演化机制，提出多个囚禁离子量子比特的纠缠Dicke态制备方案。该方案实现了处于激发状态的离子数连续可调，可完成任意对称Dicke态的制备。离子阱系统处于暗态，且能按照量子绝热演化进行，对试验参数的涨落不敏感。离子阱系统具有良好的屏蔽性，使离子几乎不受外界环境的影响，对离子比特的量子操作有更高的保真度。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓莉	重庆大学物理学院	2	33	1.0	2.0
2	张小龙	重庆大学物理学院	4	8	1.0	2.0
3	李满仓	重庆大学物理学院	1	1	1.0	1.0