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摘要:
分析了VDMOS器件击穿电压、导通电阻、阈值电压和开关特性等主要性能指标的影响因素,并借助半导体模拟仿真软件Sentaurus对VDMOS器件进行建模,调整器件各个结构参数,提出采用P体区间厚氧化层方法提高器件的动态特性,获得满足设计目标要求的器件电性能参数,最终形成器件设计版图,并依此在现有生产线上进行工艺流片,根据流片结果进一步优化调整设计参数,最终获得一款击穿电压400 V、导通电阻0.45Ω、阈值电压2.5 V、开关特性较好的功率VDMOS器件。
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 功率VDMOS器件设计及研制
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 VDMOS器件 击穿电压 导通电阻 阈值电压 开关特性 Sentaurus软件
年,卷(期) 2016,(5) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 52-55
页数 4页 分类号 TN386.1
字数 3238字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.05.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郑莹 中国电子科技集团公司第四十七研究所 4 9 1.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
VDMOS器件
击穿电压
导通电阻
阈值电压
开关特性
Sentaurus软件
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电子元件与材料
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1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
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