功率VDMOS器件设计及研制

• 作者: 郑莹
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS器件 击穿电压 导通电阻 阈值电压 开关特性 Sentaurus软件
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.05.013

摘要

分析了VDMOS器件击穿电压、导通电阻、阈值电压和开关特性等主要性能指标的影响因素，并借助半导体模拟仿真软件Sentaurus对VDMOS器件进行建模，调整器件各个结构参数，提出采用P体区间厚氧化层方法提高器件的动态特性，获得满足设计目标要求的器件电性能参数，最终形成器件设计版图，并依此在现有生产线上进行工艺流片，根据流片结果进一步优化调整设计参数，最终获得一款击穿电压400 V、导通电阻0.45Ω、阈值电压2.5 V、开关特性较好的功率VDMOS器件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑莹	中国电子科技集团公司第四十七研究所	4	9	1.0	3.0