Zn取代对0.85MgTiO3-0.15Ca0.6La0.8/3TiO3微波介质陶瓷性能的影响

• 作者: 刘稷 钟朝位 陈松 陶煜
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微波介质陶瓷 取代 介电性能
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 电子材料和封接、封装专辑
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.1+2
• 字数: 2768字
• 语种: 中文

摘要

采用Zn2+对0.85MgTiO3-0.15Ca0.6La0.8/3TiO3陶瓷进行A位取代,研究了Zn2+取代对其结构与性能的影响规律.实验结果表明:少量Zn2+的取代没有改变陶瓷的物相组成,扫描电子显微镜图显示Zn的取代可以促进陶瓷晶粒生长,使陶瓷的密度变大,介电常数有所提高,但由于在高温下Zn元素的挥发使得体系中生成了更多的A位离子空位,使得该材料损耗变大.谐振频率温度系数向负方向变大,由+2.1×10-6/℃变化为-2.3×10-6/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟朝位	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	49	326	8.0	16.0
2	陈松	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	172	8.0	12.0
3	陶煜	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	4	1.0	2.0
4	刘稷	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	4	1.0	2.0