Ta掺杂IrO2活性氧化物电子结构的DFT分析

• 作者: 刘雪华 周扬杰 唐电 念保峰 敬熠平 林玮 王欣 邱宇
• 来源期刊: 贵金属
• 学科: 工学
• 关键词: 金属材料 密度泛函理论 (Ir,Ta)O2 晶体结构 Bader布居 电荷密度
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 15-20
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.4|TG146.3+4
• 字数: 3889字
• 语种: 中文

摘要

Ta掺杂的Ir-Ta-O是电化学工业中具有代表意义的电极材料。采用基于密度泛函理论(DFT)的投影缀加平面波中的广义梯度近似方法，对金红石型Ir8O16和Ta掺杂的Ir7Ta1O16复合氧化物的晶体和电子结构进行计算。结果表明，IrO2的结构数据与文献报导相吻合。掺 Ta的Ir7Ta1O16存在2种不同结构，二者晶体结构参数、系统总能和电子结构很接近。Ta掺杂可使Ir8O16晶胞体积增大，使体系相对稳定。掺Ta的(Ir,Ta)O2与IrO2类似，也体现金属的导电特性。Ta原子比Ir原子失电子能力强，掺杂后Ta原子周围的电子向O原子转移，为体系提供了更多的离子键。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王欣	福州大学材料科学与工程学院	43	160	7.0	10.0
2	周扬杰		7	0	0.0	0.0
3	林玮	福州大学材料研究所	17	255	5.0	15.0
4	刘雪华	福州大学材料研究所	8	29	2.0	5.0
5	念保峰	福州大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
6	敬熠平	福州大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
7	邱宇		1	0	0.0	0.0