超薄埋氧层FDSOI器件制备及其性能测试

• 作者: 徐烨峰 李昱东 谭思昊 闫江
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽绝缘体上硅(FDSOI) 超薄埋氧层(UTB) 器件制备 短沟道效应(SCE) 背栅偏压
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 565-570,622
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.09.001

摘要

全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件具有出色的短沟道效应(SCE)控制能力等优势,是22 nm及以下的CMOS技术节点中的有力竞争者.为了研究减薄埋氧层(BOX)厚度对FDSOI器件性能和短沟道效应的影响,并进一步提高FDSOI器件的短沟道效应控制能力,制备了超薄BOX (UTB) FDSOI器件,并同时制备除BOX厚度外其余条件完全相同的145 nm厚BOX FD-SOI对比器件.对制备的器件进行了电学性能测试,展示了两种器件的传输特性和转移特性曲线,并且对器件施加背栅偏压以研究其对器件性能的调制作用.测试结果显示,UTB FDSOI器件的关断电流Ioff“与145 nm厚BOX FDSOI器件相比降低了近50％,DIBL性能也得到了显著提升.此外,施加背栅偏压不仅可以更灵敏地调制FDSOI器件性能,而且可以有效地优化器件的短沟道效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫江	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	7	7	2.0	2.0
2	谭思昊	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	3	1.0	1.0
3	李昱东	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	3	1.0	1.0
4	徐烨峰	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	2	3	1.0	1.0