基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
硅通孔(TSV)是三维电子封装的关键部位,因此分析其应力状态对评估TSV可靠性非常重要.建立了微型红外光弹性系统,并可施加热载荷来表征TSV结构的应力.在测试系统的全域和实时的模式下得到结论:即便制造技术和工艺是一样的,每个TSV应力状态是不同的;不同的TSV其零应力温度也不相同;并且即便温度升高,TSV仍保持零应力状态.为了对TSV的应力进行定量分析,建立了有限元模型,获得了TSV在不同零应力的温度下的应力状态.基于光弹性原理和有限元结果构造出不同零应力温度下的虚拟光弹性条纹,通过虚拟条纹与实验结果的对比,选取适当的虚拟光弹性条纹图案从而可确定TSV的应力.
推荐文章
基于功能细分的硅通孔容错方法
三维片上网络
硅通孔
容错
功能细分
硅通孔电阻开路故障模型研究
三维集成电路
硅通孔
电阻开路故障
硅基异质集成InP毫米波通孔模型研究
异质集成
通孔模型
参数提取
毫米波
基于对角线的硅通孔容错设计
硅通孔
对角线
故障修复
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 硅通孔的应力评价
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 硅通孔(TSV) 光弹法 应力 红外光弹系统 有限元分析
年,卷(期) 2016,(12) 所属期刊栏目 加工、测量与设备
研究方向 页码范围 833-837
页数 分类号 TN306
字数 语种 中文
DOI 10.13250/j.cnki.wndz.2016.12.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 兰天宝 2 2 1.0 1.0
2 王艳萍 1 2 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (8)
共引文献  (2)
参考文献  (8)
节点文献
引证文献  (2)
同被引文献  (2)
二级引证文献  (0)
1959(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1985(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2005(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2009(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2010(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2012(5)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(3)
2013(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2014(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2015(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2016(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2017(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2020(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
硅通孔(TSV)
光弹法
应力
红外光弹系统
有限元分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
22
总被引数(次)
16974
论文1v1指导