直拉硅单晶制备中来自于石英坩埚的受主杂质污染定量分析

• 作者: 亢若谷 史冰川 李昆 董俊 邱建备 黄磊
• 来源期刊: 云南冶金
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶 电阻率 坩埚污染 受主杂质
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 金属材料与加工
• 页码范围: 114-118
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 3029字
• 语种: 中文

摘要

半导体硅单晶制备中一般要求掺入一定量的杂质以控制其电阻率.但是,由于坩埚受熔体侵蚀引入杂质污染,影响硅棒的实际电阻率,降低产品合格率.特别对于连续拉晶过程中,长时间的熔体侵蚀造成硅棒尾部杂质含量急剧升高.讨论了由于石英坩埚中受主杂质污染对硅单晶棒电学性能的影响,并对杂质渗入量进行了定量分析.结果表明,随着晶体生长时间的延长,石英坩埚的Ba涂层被破坏,杂质的渗入速率快速增加.试验中杂质总渗入量超过700μg.