N-polar GaN基HEMT准二维电荷传输模型仿真

• 作者: 王现彬 赵正平
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: N极性 高电子迁移率晶体管 极化效应 直流特性
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 133-136
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.032

摘要

建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性.仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)、只考虑Ppe和只考虑Psp三种情况下的阈值电压分别为:-3.96 V、-2.29 V和-2.47 V,而其对应的峰值跨导则分别为44 mS/mm、41.2 mS/mm和41.3 mS/mm.该模型为N-polar GaN基HEMT器件仿真提供了理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平	河北工业大学信息工程学院	22	61	5.0	5.0
2	王现彬	石家庄学院物理与电气信息工程学院	27	31	3.0	4.0