通H2合成生长单晶用高纯碳化硅粉料

• 作者: 李斌 王英民 马康夫 魏汝省
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高纯 碳化硅 粉料
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 综 述
• 页码范围: 187-190
• 页数: 4页
• 分类号: TQ031.2|TN304
• 字数: 2599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2016.04.001

摘要

采用碳硅直接反应并在生长过程中通氢气的方法来合成单晶生长用高纯SiC粉料。利用XRD、Raman、粒度测试仪和GDMS（辉光放电质谱仪）等测试手段来对合成粉料的物相、晶型、粒度和纯度等参数进行了表征。最后利用生长过程中通H2合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长，并采用SIMS（二次离子质谱仪）和非接触式电阻率测试仪对碳化硅单晶的纯度以及电学性质进行了表征。发现生长过程中通H2有利于高纯SiC粉料纯度的提升，此外，通H2合成的高纯碳化硅粉料有利于高纯半绝缘碳化硅单晶的生长。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国电子科技集团公司第二研究所	89	251	10.0	12.0
2	王英民	中国电子科技集团公司第二研究所	18	53	5.0	6.0
3	魏汝省	中国电子科技集团公司第二研究所	6	5	2.0	2.0
4	马康夫	中国电子科技集团公司第二研究所	3	8	2.0	2.0