基于ITO电极下氧化铪基阻变存储器的性能研究

• 作者: 何品 叶葱 吴加吉 张骏驰 王浩 邓腾飞
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变存储器 自限流特性 操作电流 ITO电极
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 236-242
• 分类号: TG132.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.2016.03.007

摘要

采用磁控溅射和光刻技术制备了1 pm×1 μm的TiN/HfO2/ITO(氧化铟锡)3层结构的器件,通过控制改变正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能.研究结果表明,在上述的两种操作模式下,当保持操作端不变时导电细丝的形成与断裂均发生在ITO端操作,且从电流-电压(I-V)循环曲线中均发现了器件具有自限流特性.同时,文中比较了氧化铟锡(ITO)和铂(Pt)两种电极下,存储器单元阻变性能的差别.结合电流-电压循环曲线的拟合机制,推断出自限流特性来源于氧化铟锡(ITO)电极与氧化铪基阻变层之间形成的界面层.进一步设计了基于氧化铟锡(ITO)电极下的氧化硅/氧化铪双层结构阻变层的器件,发现该器件仍具有自限流效应.而且,氧化硅层同样起到了降低操作电流的作用,故使得器件的功耗大幅度降低至16 μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王浩	湖北大学物理与电子科学学院	33	185	6.0	13.0
2	何品	湖北大学物理与电子科学学院	2	3	1.0	1.0
3	叶葱	湖北大学物理与电子科学学院	3	4	1.0	2.0
4	邓腾飞	湖北大学物理与电子科学学院	1	3	1.0	1.0
5	吴加吉	湖北大学物理与电子科学学院	1	3	1.0	1.0
6	张骏驰	湖北大学物理与电子科学学院	1	3	1.0	1.0