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摘要:
氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的综合性能,在微电子和微波真空管等电子工业领域中有广泛的应用.以Mo、Mn、MnO、Al2O3、SiO2和CaO等(粒径<10μm)为原料,在氧化之后的AlN陶瓷表面烧结制得金属化层.通过X射线衍射、扫描电镜及能量色散谱对金属层做物相、显微形貌及能谱成分分析,初步探讨该金属化法的结合机理.结果表明:AlN陶瓷在空气气氛中经过1100℃保温3h高温处理之后,表面生成一层氧化铝(Al2O3),金属化层与陶瓷之间的结合强度超过55 MPa.结合机理是:玻璃相的相互迁移渗透在陶瓷与金属层之间形成机械结合,新共熔物(CaO)12 (Al2 O3)7的生成也有助于提高结合强度.
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关键词云
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文献信息
篇名 AlN陶瓷Mo-Mn法金属化研究
来源期刊 真空电子技术 学科 工学
关键词 AlN陶瓷 金属化 结合机理 Mo-Mn法
年,卷(期) 2016,(5) 所属期刊栏目 电子材料和封接、封装专辑
研究方向 页码范围 18-21
页数 4页 分类号 TB756
字数 2550字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李军 中国科学院上海硅酸盐研究所 329 5514 37.0 61.0
2 冯永宝 南京工业大学材料科学与工程学院 39 379 10.0 17.0
3 曹昌伟 南京工业大学材料科学与工程学院 2 12 2.0 2.0
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AlN陶瓷
金属化
结合机理
Mo-Mn法
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真空电子技术
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