共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究

• 作者: 吴新科 张军明 盛况 董泽政
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共源极电感 开关损耗 碳化硅(SiC)MOSFET
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 112-118
• 页数: 7页
• 分类号: TM461.5
• 字数: 3474字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.112

摘要

共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中，影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅（SiC）MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程，共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣，然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC MOSFET 的开关损耗，最后搭建了一台输出功率1 kW、输出电压800 V 的全碳化硅Boost 样机，从100 kHz 到500 kHz 进行实验验证。实验结果表明，当不含共源极电感时SiC MOSFET的开通损耗、关断损耗均有所减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张军明	浙江大学电气工程学院	56	1466	15.0	38.0
2	吴新科	浙江大学电气工程学院	35	457	10.0	21.0
3	盛况	浙江大学电气工程学院	28	745	8.0	27.0
4	董泽政	浙江大学电气工程学院	3	7	1.0	2.0