大容量同步双端口SRAM的仿真方法

• 作者: 周云波 李晓容
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 双端口同步SRAM 激励文件 层次化 关键路径
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 3779字
• 语种: 中文

摘要

根据大容量同步双端口SRAM(静态随机存储器)功能多、时序严格、存储单元数目巨大的特点,提出了一套用于功能复杂的大容量SRAM仿真验证的激励生成和后仿真验证方法.该方法不仅克服了Hsim仿真激励文件编写耗时、不易修改的缺点,而且解决了大容量双端口SRAM后仿真速度缓慢、占用大量硬件资源的问题,在很大程度上缩短了设计周期,保证了投片成功.芯片采用中芯国际0.13 μm CMOS工艺流片,实测结果验证了该仿真方法是准确有效的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周云波		3	6	2.0	2.0
2	李晓容		1	2	1.0	1.0