中国发展化合物半导体产业正当时

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 化合物半导体 半导体产业 中国 半导体材料 半导体性能 光电性能 碳化硅 硅器件
• 年，卷（期）: bdtxx_2016,（4）
• 页码范围: 1-2
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.23

摘要

化合物半导体是区别于硅（Si）和锗（Ge）等传统单质的一类半导体材料，主要包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等。相对于硅材料，化合物半导体性能更加优异，制作出的器件相对于硅器件具有更优异的光电性能、高速、高频、大功率、耐高温和高辐射等特征。