硅衬底GaN基LED薄膜芯片的应力调制

• 作者: 汤英文 熊传兵 王佳斌
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅衬底 GaN 应力 XRD Ag-In
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 979-983
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163708.0979

摘要

将Si衬底GaN基LED外延薄膜经晶圆键合、去硅衬底等工艺制作成垂直结构GaN基LED薄膜芯片,并对其进行不同温度的连续退火,通过高分辨X射线衍射( HRXRD)研究了连续退火过程中GaN薄膜芯片的应力变化。研究发现：垂直结构LED薄膜芯片在160~180益下退火应力释放明显,200益时应力释放充分, GaN的晶格常数接近标准值。继续升温应力不再发生明显变化,GaN薄膜的晶格常数只在标准晶格常数值附近波动。扫描电子显微镜给出的bonding层中Ag-In合金情况很好地解释了薄膜芯片应力的变化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊传兵	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	23	157	7.0	11.0
2	汤英文	闽南师范大学物理与信息工程学院	7	4	2.0	2.0
3	王佳斌	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0