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金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究
金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究
作者:
张可锋
张莉萍
李向阳
杜云辰
焦翠灵
王仍
陆液
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Hg1-xCdxTe晶体
二次离子质谱
气相外延
Au掺杂
杂质
摘要:
通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料.利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征.通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)技术分析了Au在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势.利用SIMS技术还分析了Ⅰ、Ⅱ族和Ⅵ、Ⅶ族杂质在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势,发现衬底和外延层的过渡区具有吸杂作用.研究结果对提高探测器的性能具有指导意义.
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文献信息
篇名
金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究
来源期刊
红外
学科
物理学
关键词
Hg1-xCdxTe晶体
二次离子质谱
气相外延
Au掺杂
杂质
年,卷(期)
2016,(10)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1-6,16
页数
7页
分类号
O472+.3
字数
3145字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-8785.2016.10.001
五维指标
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被引次数趋势
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研究主题发展历程
节点文献
Hg1-xCdxTe晶体
二次离子质谱
气相外延
Au掺杂
杂质
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外
主办单位:
中国科学院上海技术物理研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1672-8785
CN:
31-1304/TN
开本:
大16开
出版地:
上海市玉田路500号
邮发代号:
4-290
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
3030
总下载数(次)
11
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