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摘要:
通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料.利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征.通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)技术分析了Au在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势.利用SIMS技术还分析了Ⅰ、Ⅱ族和Ⅵ、Ⅶ族杂质在Hg1-xCdxTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势,发现衬底和外延层的过渡区具有吸杂作用.研究结果对提高探测器的性能具有指导意义.
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文献信息
篇名 金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究
来源期刊 红外 学科 物理学
关键词 Hg1-xCdxTe晶体 二次离子质谱 气相外延 Au掺杂 杂质
年,卷(期) 2016,(10) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1-6,16
页数 7页 分类号 O472+.3
字数 3145字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-8785.2016.10.001
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节点文献
Hg1-xCdxTe晶体
二次离子质谱
气相外延
Au掺杂
杂质
研究起点
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期刊影响力
红外
月刊
1672-8785
31-1304/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-290
1980
chi
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11
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