基于GaN器件Buck电路死区功耗分析与优化

• 作者: 周琦 张波 施宜军 胡官昊 陈万军
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 死区时间 氮化镓器件 同步buck型开关电源
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 90-95,127
• 页数: 7页
• 分类号: TN86
• 字数: 3455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.90

摘要

氮化镓功率器件以其优异的高速、高效特性而有望在电源转换领域取得广泛应用。在Buck开关电源应用中，系统采用GaN HEMT替换传统Si 功率器件后，系统死区损耗成为阻碍系统效率提升的一个重要因素。针对GaN 器件的电源转换系统死区功耗展开理论及仿真讨论，详细分析Si 功率器件与 GaN HEMT 在 buck 型开关电源系统中不同的工作机制以及死区时间对系统功耗的影响。优化结果表明，输入电压为12 V、输出电压为1.2 V、开关频率为700 kHz 的GaN 基电源转换系统，在死区时间Td1=20 ns、Td2=0 ns、负载电流为20 A 的情况下系统转换效率可达到92%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	陈万军	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	128	4.0	11.0
3	周琦	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	13	2.0	3.0
4	胡官昊	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	2	1.0	1.0
5	施宜军	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	2	1.0	1.0