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F8 BT:P3 HT共混薄膜放大自发辐射的温度效应
F8 BT:P3 HT共混薄膜放大自发辐射的温度效应
作者:
侯延冰
林涛
王尉谦
秦亮
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
放大的自发辐射
温度效应
聚合物共混波导
阈值
摘要:
研究了温度对聚合物 poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)(F8BT)和 poly(3-hexylthiophene)(P3HT)共混薄膜的放大自发辐射(ASE)的影响。在80~320 K温度范围测试了不同P3HT质量比的共混聚合物薄膜和纯F8BT薄膜的ASE特性。在室温条件下,共混聚合物的阈值随着P3HT所占比例的增加先降低后升高。当P3HT比例约为20%时,阈值最低约为2.59×103 W/cm2。当温度从320 K下降到80 K时,纯F8BT薄膜的ASE阈值光功率由5.36×103 W/cm2下降到4.15×103 W/cm2,P3HT质量比为20%的共混薄膜的ASE阈值光功率由2.84×103 W/cm2下降到2.03×103 W/cm2。在一特定泵浦光功率(5.29×103 W/cm2)下,当温度由320 K下降至80 K时,ASE强度约提高4倍。随着温度的降低,混合物薄膜的ASE峰位红移,移动达12 nm。
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文献信息
篇名
F8 BT:P3 HT共混薄膜放大自发辐射的温度效应
来源期刊
发光学报
学科
物理学
关键词
放大的自发辐射
温度效应
聚合物共混波导
阈值
年,卷(期)
2016,(8)
所属期刊栏目
器件制备及器件物理
研究方向
页码范围
973-978
页数
6页
分类号
O484.4
字数
3520字
语种
中文
DOI
10.3788/fgxb20163708.0973
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
侯延冰
北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室
34
170
9.0
11.0
2
秦亮
北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室
2
5
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2.0
3
王尉谦
北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室
1
1
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林涛
北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
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放大的自发辐射
温度效应
聚合物共混波导
阈值
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
发光学报
主办单位:
中国物理学会发光分会
中科院长春光机所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7032
CN:
22-1116/O4
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路16号
邮发代号:
12-312
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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