基于GaN FETs的高频半桥谐振变换器分析与设计

• 作者: 刘宾 卞晴 张相军 徐殿国 王卫 王懿杰 管乐诗
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN FETs 高频 谐振变换器 寄生电感
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 82-89
• 页数: 8页
• 分类号: TM46
• 字数: 4338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.82

摘要

随着Si材料半导体器件性能逐步达到瓶颈，宽禁带半导体器件（GaN、SiC）在诸多方面展现出了很好的性能，如低导通阻抗，小输入、输出电容等，这些特性使得GaN 和SiC 器件能够应用在更高的开关频率条件，从而提高系统的功率密度。针对基于GaN FETs 构成的高频半桥谐振变换器进行设计，分析了高频条件下寄生电感参数对系统驱动电压及漏源极电压的影响，同时分析了高频条件下系统电压电流测量所需注意的事项及影响因素，为高频条件下GaN FETs的应用提供一定的帮助。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐殿国	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	549	11959	61.0	88.0
2	王卫	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	80	711	16.0	24.0
3	张相军	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	40	271	8.0	15.0
4	管乐诗	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	10	10	2.0	3.0
5	王懿杰	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	18	75	3.0	8.0
6	卞晴	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	5	4	1.0	2.0
7	刘宾	哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院	1	3	1.0	1.0