纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响

• 作者: 王洪 胡晓龙 黄华茂 黄江柱
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基LED 绿光LED 纳米柱结构 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 967-972
• 页数: 6页
• 分类号: TN303|TN304
• 字数: 2977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163708.0967

摘要

纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米柱结构的形貌,并测试了常温和10 K低温时的光致发光谱( PL)。结果表明：应变释放对压电场的影响显著,使得纳米柱结构样品的内量子效率( IQE)提高,PL谱峰值波长蓝移；应变在量子阱中的不均匀分布还使得PL谱半高全宽( FWHM )展宽。与普通平面结构相比,高度为747 nm的纳米柱结构可使得IQE提升917%,PL谱峰值波长蓝移18 nm、FWHM展宽7 nm。另外,纳米柱结构样品的有源区有效面积减小可使得PL谱FWHM减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院	61	412	10.0	18.0
3	黄华茂	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院	13	58	5.0	7.0
5	胡晓龙	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院	10	35	3.0	5.0
6	黄江柱	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院	2	9	1.0	2.0