高性能短波红外 InGaAs 焦平面探测器研究进展

• 作者: 唐恒敬 方家熊 李淘 李雪 邵秀梅 黄张成 黄松垒 龚海梅
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs 焦平面 短波红外 暗电流 探测率
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 629-635
• 页数: 7页
• 分类号: TN215
• 字数: 3213字
• 语种: 中文

摘要

中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外 InGaAs 焦平面探测器的研究。0.9～1.7?m近红外 InGaAs 焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格，以及320×256、640×512、4000×128等面阵，室温暗电流密度＜5 nA/cm2，室温峰值探测率优于5×1012 cm?Hz1/2/W。同时，开展了向可见波段拓展的320×256焦平面探测器研究，光谱范围0.5～1.7?m，在0.8?m 的量子效率约20%，在1.0?m 的量子效率约45%。针对高光谱应用需求，上海技物所开展了1.0～2.5?m 短波红外 InGaAs 探测器研究，暗电流密度小于10 nA/cm2@200 K，形成了512×256、1024×128等多规格探测器，峰值量子效率高于75%，峰值探测率优于5×1011 cm?Hz1/2/W。