激光退火在硅基光电探测器中的应用

• 作者: 刘巧莉 周弘毅 李冲 王文娟 董建 郭霞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 激光退火 载流子激活 探测器 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 36-40,49
• 分类号: TN249
• 语种: 中文

摘要

分别对p-i-n和n-i-p两种结构的硅基光电探测器的背面离子注入层进行激光退火处理,辐照功率分别为0.5、1、1.25和1.5 J/cm2.根据激光退火激活载流子模式计算了载流子激活率,获得了载流子浓度和接触电阻的变化量.通过对比器件的电学和光学性能,发现采用1.5 J/cm2的激光,离子注入方式得到的硼离子和磷离子的激活率达到75.0％和92.6％,使得p-i-n和n-i-p结构器件的背接触电阻分别从未退火的22.3 Ω和15.89 Ω降低至7.32Ω和7.63 Ω,显著改善了硅基光电探测器的正向特性.在100 mV反向偏压下激光退火至少降低了10％的暗电流,并增强p-i-n结构峰值处约1％的光谱响应和n-i-p结构峰值处约5％的光谱响应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭霞	北京工业大学光电子器件研究室	54	397	11.0	16.0
2	王文娟	北京工业大学光电子器件研究室	18	72	4.0	8.0
3	李冲	北京工业大学光电子器件研究室	5	7	2.0	2.0
4	刘巧莉	北京工业大学光电子器件研究室	4	5	2.0	2.0
5	周弘毅	北京工业大学光电子器件研究室	4	22	3.0	4.0
6	董建	北京工业大学光电子器件研究室	3	7	2.0	2.0