半导体制程工艺中高温氮气退火缺陷的产生及预防

• 作者: 刘继广
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 高温氮气退火 缺陷 硅晶体 氧化膜
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 33-37
• 页数: 5页
• 分类号: TN305|TN386
• 字数: 2752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2016.06.007

摘要

在半导体器件尺寸不断缩小的背景下,对减少生产过程中所产生的各种缺陷也提出了愈来愈高的要求.高温氮气退火工艺被广泛应用于多种器件的制作工艺中,通过分析缺陷的现象、解析缺陷产生的机理,列举出容易产生缺陷的几种硅片表面状况.常用的预防方法是在升温时通入一定比例的氧气,在硅晶体表面生成氧化硅作为保护层,此方法适用于新产品开发,但对于量产品来说,这种方法可能会有些局限性.相比而言采用低温氧化的方法预防缺陷的产生更有优势,并经实验表明此方法能显著减少对器件电学参数的影响,简单易用、具有可复制性,适用于解决半导体制造中的同类问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘继广		2	3	1.0	1.0