黑硅无掩模反应离子刻蚀法制备及光学性能研究

• 作者: 向鹏飞 廖乃镘 李仁豪
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 黑硅 反应离子刻蚀 无掩模 光学性能
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 41-44
• 分类号: TN304.1
• 语种: 中文

摘要

采用无掩模反应离子刻蚀法制备了黑硅.利用扫描电子显微镜及紫外-可见-近红外分光光度计研究了黑硅的微结构和光学特性.结果表明,黑硅微结构高度为2.0～3.5 μm,径向尺寸90～400 nm,间距200～610 nm.在400～1 000 nm光谱范围内黑硅吸收率为94％,是单晶硅的1.5倍;在1 200～1 700 nm光谱范围吸收率为55％～60％,是B掺杂单晶硅的20倍.制备的黑硅的光学带隙为0.600 6 eV,吸收光谱明显向红外方向偏移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李仁豪		24	60	5.0	6.0
2	向鹏飞		11	16	2.0	3.0
3	廖乃镘		14	12	2.0	2.0