SiC MOSFET在航空静止变流器中的应用研究

• 作者: 张瞾 曹鸿 葛小伟 谢少军
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 航空静止变流器 SiC MOSFET 级联逆变器 损耗分析 驱动电路
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 66-72
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.66

摘要

航空静止变流器实现机载直流电到交流电的转换，对功率密度、效率、环境适应性、可靠性和电气性能等有较高的要求。碳化硅（SiC）半导体器件的开关速度快、高温特性好，在航空静止变流器中有很好的应用前景，但目前关于宽禁带器件在航空静止变流器中应用的研究比较少。首先结合现有的典型航空静止变流器电路拓扑分析了SiC MOSFET 应用的关键问题；然后针对航空静止变流器逆变级的两级级联半桥逆变器，对比分析了应用SiC MOSFET 与Si MOSFET 的损耗大小，分析结果表明在现采用的开关频率下，即使现有 SiC MOSFET导通损耗较大，但总损耗仍较小；且开关频率越高，SiC MOSFET的效率优势越明显，最后为适应高开关频率SiC MOSFET 逆变器的需要设计了一种适应高开关频率和宽占空比变化信号的 SiC MOSFET 驱动电路,搭建了1台500 VA、115 V/400 Hz两级级联半桥逆变器实验样机，并验证了应用SiC MOSFET 的航空静止变流器逆变级的可行性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢少军	南京航空航天大学自动化学院	210	3748	32.0	52.0
2	曹鸿	南京航空航天大学自动化学院	3	3	1.0	1.0
3	葛小伟	南京航空航天大学自动化学院	4	5	2.0	2.0
4	张瞾	南京航空航天大学自动化学院	1	2	1.0	1.0