离子辐照GaAs的光致发光和拉曼散射研究

• 作者: 孙梦利 彭海波 杜鑫 杨迪 王铁山 袁伟 郭红霞
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 辐照效应 光致发光谱 拉曼散射谱
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 17-23
• 页数: 7页
• 分类号: TL99
• 字数: 3567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2016.hjs.39.100201

摘要

利用250 keV质子和4.5 MeV氪离子(Kr17+)辐照未掺杂GaAs，注量分别为1×1012?3×1014cm?2和3×1011?3×1014 cm?2，使用光致发光谱和拉曼散射谱分析表征。发光谱的结果表明，随着剂量增大，质子辐照后的CAs峰及其声子伴线逐渐减弱，913 nm处的复合缺陷峰则先增大后减小，此峰与材料制备时的Cu掺杂无关。Kr离子辐照后本征发光峰则完全消失。拉曼散射谱的结果表明，相比于质子辐照，Kr离子辐照后LO声子峰峰位向低频方向移动，出现非对称性展宽，晶体结构发生明显改变。质子和Kr离子辐照效应的差异是由于移位损伤相差至少三个量级造成的。最后采用多级损伤累积(Multi-step damage accumulation, MSDA)模型得到了材料内缺陷的演化过程，并很好地解释了随损伤剂量增大GaAs光学性能及晶体结构的变化趋势。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭红霞		81	385	10.0	13.0
2	王铁山	兰州大学核科学与技术学院	22	58	4.0	6.0
3	杨迪	兰州大学核科学与技术学院	4	11	2.0	3.0
4	孙梦利	兰州大学核科学与技术学院	3	2	1.0	1.0
5	彭海波	兰州大学核科学与技术学院	10	18	2.0	3.0
6	袁伟	兰州大学核科学与技术学院	9	23	3.0	4.0
7	杜鑫	兰州大学核科学与技术学院	4	12	2.0	3.0