6500V超高压、大电流IGBT芯片的工艺研究

• 作者: 刘建华 周卫平 张栋
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 IGBT 超高压器件 6500V
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 5064字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2016.06.006

摘要

为了突破轨道交通、智能电网用等超高压IGBT的技术瓶颈,上海先进半导体联合中车集团下的上海北车永电和西安永电共同开发了6 500V超高压IGBT芯片.IGBT芯片的关键性技术主要包括场截止技术、终端保护技术、背面工艺,以及背面图形技术的研究.6 500V/25A IGBT芯片产品通过了中车集团的产品鉴定,完成了大于10万公里的铁路试运行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周卫平		5	10	2.0	3.0
2	刘建华		2	8	2.0	2.0
3	张栋		1	6	1.0	1.0