基于新型1200 V碳化硅（SiC）MOSFET的三相双向逆变器的研究

• 作者: 刘学超 叶春显 黄建立
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 宽禁带 双向逆变器 反并联二极管 第3象限
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 59-65,81
• 页数: 8页
• 分类号: TM919
• 字数: 3020字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.59

摘要

研究了基于新一代宽禁带1200 V 碳化硅（SiC）MOSFET 三相双向逆变器，由于SiC MOSFET 的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性，与硅基IGBT相比省略了开关器件的反并联二极管。20 kVA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiC MOSFET 相比硅基IGBT方案的优势。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶春显	深圳市鹏源电子有限公司半导体事业部	3	10	2.0	3.0
2	刘学超	科锐香港有限公司功率与射频器件事业部	1	4	1.0	1.0
3	黄建立	科锐香港有限公司功率与射频器件事业部	1	4	1.0	1.0