AlN微晶棒的的制备及光致发光性能研究

• 作者: 张轩硕 沈龙海
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN微晶棒 直接氮化法 光致发光 缺陷发光
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 927-931
• 页数: 5页
• 分类号: O471.4|O482.31
• 字数: 1851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163708.0927

摘要

采用直流电弧放电方法,在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪( Raman)、扫描电子显微镜( SEM)和光致发光( PL)谱等测试手段对所制备样品进行表征和发光性能的研究。结果表明：所制备的AlN微晶棒长度约为30μm,直径约为10μm。在AlN微晶棒的PL谱中,有两个主要发光峰,中心在430 nm的发射源于VN 和(VAl-ON)2-构成的深施主-深受主对缺陷发光,中心在650 nm的发射源于VAl形成的深受主能级到价带的缺陷发光。在激发波长由270 nm逐渐增大到300 nm的过程中发现,AlN微晶棒波长在430 nm处的发光峰先增强后减弱,在激发波长为285 nm时强度最大；650 nm处的发光峰随激发波长增大而逐渐增强。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈龙海	沈阳理工大学理学院	23	41	4.0	5.0
2	张轩硕	沈阳理工大学理学院	3	5	1.0	2.0