总剂量辐照对热载流子效应的影响研究?

• 作者: 何玉娟 刘远 章晓文
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 总剂量辐照 热载流子效应 协同效应
• 年，卷（期）: 2016,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 246101-1-246101-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.246101

摘要

研究了总剂量辐照效应对0.35μm n型金属-氧化物-半导体(NMOS)器件热载流子测试的影响.试验结果表明：经过100 krad(Si)总剂量辐照后进行5000 s的热载流子测试， NMOS器件阈值电压随着总剂量的增大而减小，然后随热载流子测试时间的增加而增大，且变化值远远超过未经过总剂量辐照的器件；总剂量辐照后经过200 h高温退火，再进行5000 s的热载流子测试，其热载流子退化值远小于未高温退火的样品，但比未辐照的样品更明显，即总剂量辐照与热载流子的协同效应要超过两种效应的简单叠加.根据两种效应的原理分析，认为总剂量辐照感生氧化层陷阱电荷中的空穴与热电子复合减少了正氧化层的陷阱电荷，但辐照感生界面态俘获热电子形成负的界面陷阱电荷，表现为两者的协同效应模拟方式比单机理模拟方式对器件的影响更严重.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章晓文	工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室	13	39	4.0	5.0
2	刘远	工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室	6	20	2.0	4.0
3	何玉娟	工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室	5	17	2.0	4.0