基于数据驱动的功率MOSFET剩余寿命预测

• 作者: 关永 吴立锋 殷翠香 郑宇
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 相关向量 劣化模型 剩余寿命 失效阈值 预测
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 79-83
• 页数: 5页
• 分类号: TP301.6
• 字数: 3507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.02.019

摘要

为了预测电子系统的重要器件——功率MOSFET剩余使用寿命,基于NASA实验数据,提出了一种MOSFET剩余寿命预测方法.首先利用相关向量机对劣化数据进行回归拟合,得到相关向量,并使用相关向量与回归拟合结果结合获取代表性向量.然后,基于退化模型,利用最小二乘法实现参数辨识确定劣化模型的参数.最后,将劣化模型外推到失效阈值,得到功率器件可能失效的时间,从而获得MOSFET的剩余使用寿命.实验结果表明,该方法简单有效.