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摘要:
微电子领域中的铜互连工艺需要沉积一层连续且保形好的铜籽晶层,随着集成电路中特征尺寸的减小及沟槽深宽比的增加,传统的热沉积工艺难以满足其将来的制作要求.本文介绍了使用新的强还原剂前驱体沉积铜金属工艺的研究进展,重点综述了利用氢气等离子体辅助原子层沉积铜薄膜工艺的研究现状,概述了应用各类铜前驱体进行铜薄膜沉积的参数及所制备铜薄膜的性能,总结了各工艺的优缺点.
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文献信息
篇名 原子层沉积铜薄膜研究进展
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 铜籽晶层 原子层沉积 低温 等离子体
年,卷(期) 2016,(8) 所属期刊栏目 功能薄膜
研究方向 页码范围 856-861
页数 分类号 TB34
字数 语种 中文
DOI 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.08.02
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铜籽晶层
原子层沉积
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真空科学与技术学报
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1981
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