不同纯度Ni2O3对PNN-PZT压电陶瓷制备的影响

• 作者: 彭贵贵 胡顺敏 郑德一
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 铌镍锆钛酸铅 化学纯Ni2O3 分析纯Ni2O3 准同型相界
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 663-666,670
• 页数: 5页
• 分类号: TN384|TQ174
• 字数: 3213字
• 语种: 中文

摘要

通过氧化粉末固相烧结法制备Pb(Ni1/3 Nb2/3)x(ZryTiz)(1-x)O3 (PNN-PZT)压电陶瓷.通过X射线衍射仪(XRD)及扫描电镜(SEM)对陶瓷的相组成及显微组织进行相关分析.实验结果发现,当其他实验条件完全相同时,分别用不同纯度的Ni2O3药品A和B制备出的陶瓷具有明显的性能差异.使用Ni2O3药品A制备的陶瓷的电学性能较佳,其压电常数d33 =680 pC/N,机电耦合系数kp=0.62,εr=7 200,介电损耗tanδ=0.023;而使用Ni2O3药品B制备的陶瓷样品的电学性能较差,其d33 =430 pC/N,kp=0.50,εr=8 530,tan δ=0.054.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭贵贵	贵州大学材料与冶金学院	6	19	2.0	4.0
2	胡顺敏	贵州大学材料与冶金学院	6	19	2.0	4.0