薄膜晶体管中高性能HfO2的低温制备研究

• 作者: 刘贤哲 姚日晖 曾勇 朱峰 胡诗犇 蔡炜 郑泽科 陈建秋 陶瑞强
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铪 栅介质层 电子束蒸镀 退火 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 862-865
• 分类号: TB303
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.08.03

摘要

采用电子束蒸镀在ITO上沉积HfO2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响.当450℃时O2退火,HfO2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现HfO2有单斜相等结晶生成.450℃下N2退火,HfO2结构则没有明显晶体和晶界结构,且N2气氛退火的HfO2漏电约为O2气氛退火的1/10.