感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性

• 作者: 乔辉 兰添翼 刘向阳 刘诗嘉 朱龙源 李向阳 王妮丽 赵水平
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 刻蚀 干法刻蚀 刻蚀掩模 光刻胶 感应耦合等离子体
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 59-62
• 分类号: TN405
• 语种: 中文

摘要

利用光刻胶作刻蚀掩模对半导体样品进行感应耦合等离子体干法刻蚀时发现光刻胶掩模在刻蚀后表面出现凸起和孔洞等异常现象,等离子体会透过部分孔洞对样品表面产生刻蚀损伤.利用探针式表面轮廓仪和激光共聚焦显微镜对这些异常现象进行了分析,认为是刻蚀时等离子体气氛中的紫外线对作为掩模的光刻胶进行了曝光作用而释放出一定量的氮气,从而在光刻胶内外形成了压强差而使光刻胶局部表面产生微凸起;当光刻胶的强度无法阻止内部氮气的膨胀时,则会发生类似爆炸的效果,在光刻胶表面形成孔洞状缺陷,导致掩模保护作用的失效.