SOI基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试

• 作者: 李成 蔡志猛 陈荔群
• 来源期刊: 福州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 锗 共振腔增强型 SOI 光电探测器
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 656-660
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 1954字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7631/issn.1000-2243.2016.05.0656

摘要

在超高真空化学气相沉积设备上,利用低温生长的硅锗和锗作为缓冲层,在SOI衬底上成功外延出高质量的锗薄膜.基于谐振腔增强型探测器(RCE)理论,模拟优化了有源层和上下反射层的厚度尺寸.传输矩阵方法计算结果显示:将SOI衬底自有二氧化硅、硅层作为一对下反射层的情况下,取2对SiO2/Ta2O5作为上反射层时,量子效率可以达到接近56％.制作的SOI基锗光电探测器,暗电流密度为0.65 mA·cm-2.在8V的偏压下,探测器在1 550 nm处响应度1.45 mA·W-1,可以观察到探测器的共振现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李成	厦门大学物理系光子学研究中心	45	140	7.0	11.0
2	蔡志猛	厦门华厦学院信息与机电工程系	12	45	1.0	6.0
3	陈荔群	集美大学诚毅学院	6	0	0.0	0.0