基于MOCVD再生长n+ GaN欧姆接触工艺fT/fmax＞150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究

• 作者: 冯志红 吕元杰 周幸叶 宋旭波 张志荣 房玉龙 蔡树军 谭鑫 郭红雨
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 最大振荡频率 再生长欧姆接触
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 534-537,568
• 页数: 5页
• 分类号: TN385
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.05.005

摘要

基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的Al-GaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+ GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=2V下,器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm,该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值,器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明,器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz.