矩形槽二次电子产额的解析模型

• 作者: 崔万照 张娜 李韵 王新波 王瑞 胡天存
• 来源期刊: 空间电子技术
• 关键词: 二次电子发射 二次电子产额( SEY) 解析模型 矩形槽
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 微波技术
• 页码范围: 35-37,72
• 页数: 4页
• 字数: 1856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-7135.2016.01.008

摘要

二次电子发射现象由于在现代分析仪器及微波器件中的重要影响,一直以来是物理电子领域研究的基础和重点。表面形貌是影响材料二次电子发射特性的关键参量,但目前对于金属二次电子产额( secondary electron yield, SEY)与表面形貌之间的定量关系研究尚十分欠缺。矩形槽结构由于具有显著降低二次电子产额的特性,是加速器、高功率微波源等广泛应用的抑制结构,文章分析了表面结构特征对二次电子出射的遮挡作用和再入射过程,从理论上推导了电子正入射矩形槽结构时的二次电子产额。通过Monte Carlo模拟和实验结果的对比,所获得的解析模型均能很好的与仿真结果和实验结果相吻合。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王瑞	中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家级重点实验室	14	81	3.0	9.0
2	张娜	中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家级重点实验室	11	137	7.0	11.0
3	李韵	中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家级重点实验室	7	26	3.0	5.0
4	胡天存	中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家级重点实验室	13	75	4.0	8.0
5	崔万照	中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家级重点实验室	43	169	8.0	11.0