改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型

• 作者: 周郁明 李勇杰 陈伟伟
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET Spice模型 温控模型
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TM432
• 字数: 1898字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.28

摘要

在高温、高压和高频的电力电子应用中，碳化硅（SiC) MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs 的转移特性，提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFETs的Spice 电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范围内阈值电压的变化率和跨导系数，在LTspice 电路仿真软件中模拟了SiC MOSFETs在25℃和125℃下的转移特性。与现有的模型相比，仿真结果与实测数据的吻合度得到了进一步的提高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周郁明	安徽工业大学电气与信息工程学院	15	19	2.0	3.0
2	李勇杰	安徽工业大学电气与信息工程学院	3	4	2.0	2.0
3	陈伟伟	安徽工业大学电气与信息工程学院	2	2	1.0	1.0