适用于电动汽车的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究

• 作者: 周哲 徐艳明 李虹 赵波 郑琼林
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电动汽车 SiC MOSFET PSpice模型
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 21-27
• 页数: 7页
• 分类号: TM461.5
• 字数: 3353字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.21

摘要

为了基于PSpice电路对电动汽车DC/DC变换器中的碳化硅（SiC）MOSFET的工作特性进行实时准确地仿真，针对SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型VCCST（voltage-controlled current source type）PSpice仿真模型。首先，为了获得SiC MOSFET准确的静态特性建立了电压控制电流源作为SiC MOSFET的内核，以描述SiC MOSFET的转移特性和输出特性；然后，为了获得SiC MOSFET准确的动态特性，建立了基于电压控制电流源与恒定电容的栅漏电容（CGD）子电路模型，所提SiC MOSFET VCCST PSpice模型在简化参数提取方法的同时，能够满足模型准确性的要求；最后，建立的SiC MOSFET VCCST PSpice模型应用于Boost变换器进行仿真和实验，并对SiC MOSFET的特性进行测试。测试结果验证了所提SiC MOSFET VCCST PSpice仿真模型的准确性和实时性，从而为SiC MOSFET在电动汽车DC/DC变换器中的设计和应用提供了便利。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑琼林	北京交通大学电气工程学院	196	3061	32.0	50.0
2	李虹	北京交通大学电气工程学院	13	28	3.0	5.0
3	赵波		7	23	3.0	4.0
4	周哲		3	4	1.0	2.0
5	徐艳明	北京交通大学电气工程学院	1	3	1.0	1.0