一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法

• 作者: 刘士全 徐超 王健军 秦晨飞
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS器件 长期贮存 试验方法 数据处理
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 36-38,47
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 2787字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种新型的可对CMOS元器件长期贮存寿命做出评价的试验方法.对CMOS元器件样品分别进行常温贮存试验和高温贮存试验,通过常温贮存试验累积试验数据,并以此研究总结CMOS元器件长期贮存性能参数变化的规律,通过高温贮存试验加速元器件常温贮存过程,在实验过程中定期对样品器件进行测试.通过对常温贮存数据和高温加速贮存数据进行比对分析,并利用阿伦尼斯模型进行数据处理,从而在较短的时间内对元器件长期贮存寿命做出评价.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王健军		3	3	1.0	1.0
2	刘士全		10	27	3.0	4.0
3	徐超		6	3	1.0	1.0
4	秦晨飞		1	0	0.0	0.0