退火温度对Ni51．33 Mn33．23 In15．43薄膜微观结构和磁性能的影响?

• 作者: 宋秋红 徐杰 王皓辉 马骏驰 高丽
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铁磁形状记忆合金 N i-Mn-I n薄膜 磁控溅射 显微结构 磁性能
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺?技术
• 页码范围: 6225-6227,6234
• 页数: 4页
• 分类号: TG111.92
• 字数: 2570字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.06.042

摘要

采用射频磁控溅射方法在Si(100)衬底沉积 Ni-Mn-In 磁性形状记忆合金薄膜.系统研究了退火温度对Ni51．33 Mn33．23 In15．43薄膜显微组织结构和磁性能的影响.研究表明,退火温度为873 K时薄膜已完全结晶,随退火温度增加,薄膜表层颗粒细化.退火后薄膜的X射线衍射图表明,Ni51．33 Mn33．23 In15．43薄膜均由立方 L21奥氏体母相和14M调制马氏体相组成.Ni51．33 Mn33．23 In15．43薄膜母相晶格常数、马氏体相的晶胞体积和薄膜平均晶粒尺寸均随退火温度增加而增大.Ni51．33Mn33．23In15．43磁性记忆合金薄膜室温初始磁化曲线表明,在1．8 T 磁场下,薄膜均未达到磁饱和.随退火温度增加,薄膜的初始磁化强度先增加后减小,在退火温度为973 K 时达到最大.室温磁滞回线结果表明,Ni51．33 Mn33．23 In15．43薄膜的矫顽力较小,呈现出典型的软磁性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋秋红	上海海洋大学工程学院	61	195	6.0	12.0
2	高丽	上海海洋大学工程学院	10	8	2.0	2.0
3	徐杰	上海海洋大学工程学院	3	13	2.0	3.0
4	王皓辉	上海海洋大学工程学院	3	7	1.0	2.0
5	马骏驰	上海海洋大学工程学院	3	7	2.0	2.0