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摘要:
发光二极管(LED)的频率响应特性以及在大电流下的发光特性是其在可见光通信中应用的关键性能指标.对于GaN基的LED,减小InGaN/GaN多量子阱中的内建电场,增大空穴的注入,能有效提高大电流下的内量子效率,减弱在大电流情况下出现的效率下降.通过降低与结电容效应相关的RC时间常数以及载流子自发辐射复合寿命,可改善LED的频率响应特性,进一步提高LED的调制带宽.
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可见光通信
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文献信息
篇名 用于可见光通信的GaN基LED研究进展
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 发光二极管 频率响应 效率下降 可见光通信
年,卷(期) 2016,(10) 所属期刊栏目 电子器件
研究方向 页码范围 1136-1143
页数 分类号 TN312+.8
字数 语种 中文
DOI 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.10.09
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姚若河 华南理工大学电子与信息学院 126 611 11.0 18.0
2 黄昕乾 华南理工大学电子与信息学院 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
发光二极管
频率响应
效率下降
可见光通信
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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