选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究

• 作者: 何亮 刘扬 杨帆 沈震 郑越
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结构 常关型 MOSFET 选择区域外延 阈值电压稳定性
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 宽禁带功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 14-20
• 页数: 7页
• 分类号: O472.4
• 字数: 2935字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.4.14

摘要

高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET 以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN 常关型MOSFET 需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷，影响器件的稳定性。首先，提出选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET ，期望避免刻蚀对栅极沟道的损伤；再通过改进选择区域外延工艺（包括二次生长界面和异质结构界面的分离及抑制背景施主杂质），使得二次生长的异质结构质量达到标准异质结构水平。研究结果表明，选择区域外延方法能够有效保护栅极导通界面，使器件具备优越的阈值电压稳定性；同时也证明了选择区域外延方法制备槽栅结构GaN常关型MOSFET的可行性与优越性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帆	中山大学电子与信息工程学院电力电子及控制技术研究所	44	181	7.0	12.0
2	何亮	中山大学电子与信息工程学院电力电子及控制技术研究所	2	31	2.0	2.0
3	郑越	中山大学电子与信息工程学院电力电子及控制技术研究所	1	2	1.0	1.0
4	沈震	中山大学电子与信息工程学院电力电子及控制技术研究所	1	2	1.0	1.0
5	刘扬	中山大学电子与信息工程学院电力电子及控制技术研究所	22	66	4.0	7.0