一种准确的MOS晶体管统计模型方法

• 作者: 李平梁 王正楠
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: MOS器件模型 蒙特卡洛仿真 统计模型 BPV
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 27-31
• 页数: 5页
• 分类号: TN302
• 字数: 3549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2016.10.006

摘要

这是一种用于MOS晶体管的统计模型建模方法,基于物理模型,考虑相关性的全局偏差和非相关性的局部偏差,分别进行模型化.首先建立Die内非相关性局部偏差的模型,然后采用FPV和BPV相结合的方法,针对全局偏差的分布,建立MOSFET器件准确的统计模型,可以覆盖不同器件尺寸,不同偏压下的电特性参数的统计分布情况,借助Monte-Carlo仿真,得到器件统计模型参数.通过华虹宏力0.13μ m工艺实测数据与该模型仿真结果的对比,两者能够精确符合,为模拟电路设计和成品率预测提供一种快速简便的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李平梁		1	0	0.0	0.0
2	王正楠		1	0	0.0	0.0