Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响

• 作者: 孙宜华 方亮 王海林 王磊 莫观孔 黄妞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溶胶-凝胶法 GZO薄膜 透过率 电阻率
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 743-748
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3472字
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺镓氧化锌透明导电薄膜,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔效应仪等测试分别表征GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光电性能等,研究Ga掺杂量对GZO薄膜性能的影响.结果表明:所制备的GZO薄膜均为六方纤锌矿结构并有沿c轴择优生长趋势,随着Ga掺杂量的增加,薄膜透过率先增加再减小,当Ga掺杂量为4at％时透过率最高,可见光区平均透过率达97.4％,薄膜电阻率则随掺杂量增加而下降,在Ga掺杂量为5at％时达最小值7.62×10-3 Q·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	桂林理工大学广西新能源与建筑节能重点实验室	53	352	10.0	17.0
2	方亮	三峡大学材料与化工学院	33	60	4.0	6.0
4	孙宜华	三峡大学材料与化工学院	15	53	4.0	7.0
7	黄妞	三峡大学材料与化工学院	4	3	1.0	1.0
8	王海林	三峡大学材料与化工学院	2	9	1.0	2.0
9	莫观孔	三峡大学材料与化工学院	1	0	0.0	0.0