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摘要:
采用电化学沉积法在酸性电解液中制备n型Cu2O薄膜,并对其进行Cl掺杂,制备Cu2O-Cl结构.然后利用连续离子吸附法在样品薄膜上复合PbS量子点.通过SEM和UV-vis对样品进行表征,并对样品的光电化学性能进行了测试.结果表明,未掺杂的Cu2O对PbS量子点的吸附能力较强一些,经PbS敏化后的样品在太阳光谱的吸收拓展到了近红外区,PbS/Cu2O和PbS/Cu2O-Cl复合结构的光电化学性能均有所增加,尤其是短路电流密度.PbS复合后的样品转换效率最高仅为0.67%,主要原因是两者能级的不匹配,形成异质结时引入界面态,得不到理想的转换效率.
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文献信息
篇名 PbS/Cu2O异质结的制备和性能表征
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 Cu2O Cl掺杂 PbS 异质结 光电化学性能
年,卷(期) 2016,(1) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 77-81
页数 分类号 TM23
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
Cu2O
Cl掺杂
PbS
异质结
光电化学性能
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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